半導体製造工程(日英)

半導体製造工程のまとめ。文献によって若干言い方が違ったりするので、基本Wikipediaをベースに整理

概要

  • 大きく下記の4つのステップ
      1. ウェーハー製造 (Wafer processing) : ウェーハーを作る工程
    • II. 前工程 (Pre-process) : ウェハー上にLSIチップを作る工程。 前工程の前半部分は基板工程(フロントエンド)、後半部分は配線工程(バックエンド)と呼ばれる。
      • II-1. 基盤工程 (Front-end-of-line (FEOL) processing) : トランジスタ形成までの工程。洗浄、乾燥、イオン注入、熱処理、リソグラフィ、成膜、平坦化などのプロセスをくり返し行うことで回路を形成していく。
      • II-2. 配線工程 (Back-end-of-line (BEOL) processing) : 形成したトランジスタを配線する工程のこと
    • III. 後工程 (Post-process): LSIチップをパッケージ化する工程
    • IV. 検査・管理 (Testing)

製造工程各ステップ

I. ウェーハー製造 (Wafer processing)

  • ウェハー上にLSIチップを作る工程。
  • 前工程の前半部分は基板工程(フロントエンド)、後半部分は配線工程(バックエンド)

II. 前工程 (Pre-process)

II-1. 基盤工程(フロントエンド、Front-end-of-line (FEOL) processing)
  • 洗浄過程
  • 乾燥過程
  • イオン注入 (Ion Implantation)
  • 熱処理(拡散、酸化)
  • フォトリソグラフィ (Photolithography)
  • エッチング (Etching)
  • 成膜 (Film formation; Deposition)
  • 平坦化 (Planarization)
II-2. 配線工程(バックエンド、Back-end-of-line (BEOL) processing)
  • メタライズ (Metallization)(配線)

III. 後工程 (Post-process)

  • バックグラインド (Wafer backgrinding)
  • ダイシング (Wafer dicing)
  • ダイボンディング (Die bonding)
  • ワイヤ・ボンディング (Wire bonding)

IV. 検査・管理 (Testing)

  • テストパターン
  • 工程管理