半導体製造工程のまとめ。文献によって若干言い方が違ったりするので、基本Wikipediaをベースに整理
概要
- 大きく下記の4つのステップ
- ウェーハー製造 (Wafer processing) : ウェーハーを作る工程
- II. 前工程 (Pre-process) : ウェハー上にLSIチップを作る工程。 前工程の前半部分は基板工程(フロントエンド)、後半部分は配線工程(バックエンド)と呼ばれる。
- II-1. 基盤工程 (Front-end-of-line (FEOL) processing) : トランジスタ形成までの工程。洗浄、乾燥、イオン注入、熱処理、リソグラフィ、成膜、平坦化などのプロセスをくり返し行うことで回路を形成していく。
- II-2. 配線工程 (Back-end-of-line (BEOL) processing) : 形成したトランジスタを配線する工程のこと
- III. 後工程 (Post-process): LSIチップをパッケージ化する工程
- IV. 検査・管理 (Testing)
製造工程各ステップ
I. ウェーハー製造 (Wafer processing)
- ウェハー上にLSIチップを作る工程。
- 前工程の前半部分は基板工程(フロントエンド)、後半部分は配線工程(バックエンド)
II. 前工程 (Pre-process)
II-1. 基盤工程(フロントエンド、Front-end-of-line (FEOL) processing)
- 洗浄過程
- 乾燥過程
- イオン注入 (Ion Implantation)
- 熱処理(拡散、酸化)
- フォトリソグラフィ (Photolithography)
- エッチング (Etching)
- 成膜 (Film formation; Deposition)
- 平坦化 (Planarization)
II-2. 配線工程(バックエンド、Back-end-of-line (BEOL) processing)
- メタライズ (Metallization)(配線)
III. 後工程 (Post-process)
- バックグラインド (Wafer backgrinding)
- ダイシング (Wafer dicing)
- ダイボンディング (Die bonding)
- ワイヤ・ボンディング (Wire bonding)
IV. 検査・管理 (Testing)
- テストパターン
- 工程管理